Syllabus
A. Polovodiče a heterostruktury.
Úzkozónové a širokozónové polovodiče pro součástky do infračervené, viditelné, rtg a gama oblasti spektra
(Si, Ge, SiGe, III-V, II-VI, IV-VI).
Příprava monokrystalů z taveniny. Příprava tenkých vrstev-kapalná epitaxe (LPE), plynná epitaxe (VPE), molekulární epitaxe (MOCVD, MBE). .
Příprava integrovaných obvodů (pasivace, litografie, difúze, e-beam, implantace)
B. Nepolovodičové materiály
Polymery, Safír, Grafen, Kompozity
C. Nanostruktury
Nanotechnologie (nanosoučástky a jejich příprava)
D. Charakterizační techniky
SEM, SIMS, STM, AFM, GDMS, EDS a další
E. Vakuová technika
F. Aplikace
Zdroje záření, detektory záření, solární články
Annotation
Úvod. Klasifikace materiálů. Polovodičové struktury pro optoelektroniku. Požadavky na polovodičový materiál. Úzkozónové a širokozónové materiály pro viditelnou a infračervenou oblast spektra. Optoelektronika na bázi polymerů- Nanostruktury
(nanotechnologie a nanosoučástky)