Fyzika polovodičů pro optoelektroniku III

Sylabus

*

1. Přechod P-N. Ideální charakteristika přechodu P-N. Reálná charakteristika přechodu P- N v propustném a závěrném směru (typy průrazu). *

2. Schottkyho kontakt. Schottkyho efekt, základní přístupy k transportu nábojů (volt-ampérová charakteristika a kapacita Schottkyho diod). *

3. Struktura MIS. Kapacita ideální a reálné struktury MIS. *

4. Heterogenní přechody (HP). Izotypové a anizotypové HP, pásové diagramy, transport náboje. Dvojrozměrný elektronový plyn, superstruktury. *

5. Fotovoltaické jevy. Přechod P-N ozářený rovnoběžně a kolmo k rovině přechodu. Ozářený Schottkyho kontakt. Solární cely. *

6. Polovodičové zdroje optického záření. Elektroluminiscenční vrstvy, luminiscenční diody: materiály, účinnost, setrvačnost. Polovodičové lasery: spektrální charakteristika, optická zpětná vazba, výpočet základních parametrů, konstrukce. Heterogenní lasery, lasery pro optické komunikace, degradace. *

7. Polovodičové detektory. Charakteristické parametry, faktory ovlivňující detektivitu. Metody detekce záření. Fotoodpory (poměr signál-šum, druhy fotoodporů). Fotodiody a diody PIN, lavinové fotodiody (režim činnosti, setrvačnost, poměr signál-šum). Schottkyho dioda. Fototranzistor. Využití struktur s proměnnou šířkou zakázaného pásu a se supermřížkami pro detekci záření. *

8. Polovodičové snímací elektronky Vidikon, plumbikon. Detektor SPRITE. Struktury CCD s přenosem náboje.

Anotace

Principy optoelektronických prvků: přechod P-N, Schottkyho kontakt, struktura MIS, heterogenní přechody, fotovoltaické jevy, polovodičové zdroje optického záření, polovodičové detektory a snímací elektronky.