Sylabus
A. Materiály.
Úzkozónové a širokozónové polovodiče pro součástky do infračervené, viditelné, rtg a gama oblasti spektra
(Si, Ge, GaAs, CdTe/CdZnTe, obecně polovodiče skupiny IV, III-V, II-VI, IV-VI).
Safír, Grafen, Kompozity.
Příprava monokrystalů z taveniny. Příprava tenkých vrstev-kapalná epitaxe (LPE), plynná epitaxe (VPE), molekulární epitaxe (MOCVD, MBE).
Příprava integrovaných obvodů (pasivace, litografie, difúze, e-beam, implantace)
B. Charakterizační techniky
SEM, SIMS, STM, AFM, GDMS, EDS a další
C. Vakuová technika
D. Aplikace
Zdroje záření, detektory záření, solární články
Anotace
Polovodičové materiály a elektronické prvky pro optoelektronické aplikace v infračervené, viditelné, rtg a gama oblasti spektra. Růst monokrystalů, zpracování podložek, příprava elektronických struktur. Charakterizační techniky.
Vakuová technika. Aplikace (zdroje osvětlení, detektory záření, solární články, speciální optoelektronika).