Předměty
- Fyzika polovodičů pro optoelektroniku INOOE002 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Fyzika polovodičůNAFY100 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Speciální seminář z optoelektronikyNOOE010 | Matematicko-fyzikální fakulta
- ExkurzeNOOE014 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Detekce a detektory zářeníNOOE107 | Matematicko-fyzikální fakulta
Publikace
- Development of Cadmium Magnesium Telluride (Cd1-xMgxTe) for room temperature X- and gamma-ray detectors2013 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Semi insulating CdTe:Cl after elimination of inclusions and precipitates by post grown annealing2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Point Defects in Pb-, Bi-, and In-Doped CdZnTe Detectors: Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Measurements2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- IR transmittance of CdTe after high-temperature annealing2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Inclusions Elimination and Resistivity Restoration of CdTe:Cl Crystals by Two-Step Annealing2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Selective pair luminescence in the 1.4 eV band of CdTe:In2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Defect levels of semi-insulating CdMnTe:In crystals2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Photoluminescence of deep level complexes in CdTe2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Electrical and optical properties of In-doped CdTe after Cd-rich annealing2005 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Defect structure modification in undoped and In-doped CdTe by cd-rich annealing2005 | Matematicko-fyzikální fakulta
Loading network view...