Publikace na Matematicko-fyzikální fakulta |
2010
Abstrakt
Transportní měření odhalila několik exotických elektronových vlastností grafenu. Možnost ovlivňovat elektronovou strukturu a tak řídit vodivost absorpcí nebo dopováním adatomy je kritická z hlediska aplikací v elektronice.
Zde ukazujeme že v kontrastu s předpoklady vodivost grafenu může růst více než o řád při růstu koncentrace vakancí. Dostáváme tento růst vodivosti po přidání defektů jak při kvantově mechanickém výpočtu tak při experimentálním studiu karbonových nanoplošky.