Role povrchových defektů při růstu kovů na povrchu Si(100) 2×1 při pokojové teplotě | Charles Explorer

Role povrchových defektů při růstu kovů na povrchu Si(100) 2×1 při pokojové teplotě

Publikace na Matematicko-fyzikální fakulta |

2006

Abstrakt

Role povrchových defektů při růstu kovů na povrchu Si(100) 2×1 při pokojové teplotě

Osoby