Publikace na Matematicko-fyzikální fakulta |
2010
Abstrakt
): Interakce atomů Pt s CeO2 ve vrstvách dopovaných Pt deponovaných na křemíkové wafery při směru dopadu normálovém a téměř rovnoběžném s povrchem, a dále deponované na mnohostěnné uhlíkové nanotrubky(MWCNT), byla studována pomocí metody rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS). 30 nm silné vrstvy CeO2 dopované Pt byly připraveny rf-magnetronovým naprašováním z kompozitního terče Pt-CeO2. Metoda XPS ukázala vytvoření vrstvy oxidu ceričitého s kompletně ionizovanými atomy Pt2+ a Pt4+ zabudovanými do vrstev.
Poměr Pt2+/Pt4+ závisí na úhlu depozice a zvětší se v případě depozice na MWCNT. Toto chování bylo vysvětleno závislosti morfologie zrn v polykrystalických vrstvách na depozičním úhlu.