Mechanismus kontrastu v rastrovací tunelové mikroskopii laterálních Ge-Si nanostruktur na povrchu Si(111)-sqrt(3)×sqrt(3)-Bi
Abstrakt
Zkoumáme původ kontrastu, který je pozorován rastrovacím tunelovým mikroskopem na laterálních Ge-Si nanostrukturách připravených na povrchu Si(111)-sqrt(3)×sqrt(3)-Bi [Phys. Rev.
Lett. 91, 096102 (2003)]. Při malých napětích vzorku odpovídá napěťově závislý kontrast mezi plochami Si a Ge velmi dobře rozdílu mezi křivkami rastrovací tunelové spektroskopie (STS) měřenými na plochách Si a Ge a integrovanými podle napětí.
Křivky STS i STM kontrast odrážejí jak rozdíly mezi lokální hustotou elektronových stavů tak rozdílný vliv hrotu STM na plochách Si a Ge. Při vyšších napětích vzorku je tunelování do neobsazených stavů na plochách Ge znatelně ovlivněno zmenšením výšky tunelové bariéry v porovnání s plochami Si.
Snížení tunelové bariéry mizí pro tunelování v obsazených stavech. Příčinou tohoto jevu je rozdílný ohyb pásů vyvolaný hrotem STM na plochách Si a Ge.