Vývoj úhlově-rozlišeného fotoelektronového spektrometru buzeného tvrdým rentgenovým zářením pro laboratorní použití
Abstrakt
Fotoelektronová spektroskopie buzená tvrdým rentgenovým zářením (HXPES) je relativně novou metodou odvozenou z dobře známé rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS). Vyšší energie rentgenových paprsků zvyšují informační hloubku této metody a umožňují tak objemově citlivé měření různých druhů materiálů.
Realizace HXPES byla zatím limitována na synchrotronová zařízení. V této práci popisujeme vývoj laboratorního HXPES systému s praktickým výkonem, jehož bylo dosaženo kombinací kompaktního fokusovaného Cr K (5.4 keV) monochromátoru, širokoúhleho elektronového objektivu a vysokoenergetického hemisférického analyzátoru.
Využití takto navrženého HXPES systému bylo demonstrováno na měření vzorků typu Si-LSI, konkrétně na SiO2/Si(001) a Ir/HfO2/SiO2/Si(001). Byla tak potvrzena aplikovatelnost systému na multivrstvy přesahující tloušťku 10 nm.