Fotoelektronová difrakce buzená tvrdým rentgenovým zářením z Si(001) pokrytého 0-7nm tlustou SiO2 vrstvou

Abstrakt

Rentgenová fotoelektronová difrakce se stala běžnou metodou na určování lokálního atomového uspořádaní povrchových struktur. Využití tvrdého rentgenového záření dělá tuto metodu objemově citlivou a umožňuje studium atomové struktury nových materiálů, jako jsou multivrstvy a podpovrchové vrstvy.

V této práci prezentujeme vůbec první fotoelektronové difrakční obrazce buzené Cr K_alfa zářením. Difrakce byla měřena na Si(001) pokrytém 0-7nm tlustou vrstvou SiO2.

Měření jsou porovnána s teoretickými výpočty založenými na klastrovém modelu.

Klíčová slova

• Tvrdé Roentgenové záření
• Fotoelektronová spektroskopie
• Si(100)
• SiO2
• difrakce
• útlumová délka
• Kikuchiho pásy