Fotoelektronová difrakce buzená tvrdým rentgenovým zářením z Si(001) pokrytého 0-7nm tlustou SiO2 vrstvou
2010
Abstrakt
Rentgenová fotoelektronová difrakce se stala běžnou metodou na určování lokálního atomového uspořádaní povrchových struktur. Využití tvrdého rentgenového záření dělá tuto metodu objemově citlivou a umožňuje studium atomové struktury nových materiálů, jako jsou multivrstvy a podpovrchové vrstvy.
V této práci prezentujeme vůbec první fotoelektronové difrakční obrazce buzené Cr K_alfa zářením. Difrakce byla měřena na Si(001) pokrytém 0-7nm tlustou vrstvou SiO2.
Měření jsou porovnána s teoretickými výpočty založenými na klastrovém modelu.