Abstrakt
Metoda XPS byla použita ke studiu interakce gallia deponovaného na oxidy různých kovů s podložkou. Použili jsme CeOx/Si, γ-Al2O3 a Al2O3/Al, jako referenční podložky Al fólii a Si.
Gallium bylo deponováno postupně v několika krocích až do tloušťky několika nm. Po poslední depozici byly sledovány změny Ga depozitu s teplotou.
Oxidační stupeň gallia jsme určovali pomocí modifikovaného Augerova parametru (MAP). Při interakci depozitu s vysoce oxidovanými podložkami docházelo k oxidaci Ga, přičemž stupeň jeho oxidace silně závisel na druhu podložky.