Abstrakt
Oxid zinku je zajímavý a nadějný polovodičový materiál pro mnoho potenciálních aplikací, např. v optoelektronice a pro senzory. Dopování typu p však představuje náročný problém a fyzikální důvody pro převažující vodivost typu n nejsou doposud uspokojivě vysvětleny.
V tomto příspěvku jsou shrnuty snahy o dosažení dopování typu p pomocí implantace a způsoby jak dosáhnout tohoto dopování v nanotyčkách a tenkých filmech na základě různých podmínek přípravy jsou také prezentovány.