Abstrakt
Cílem předkládané práce je studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách Si1−xGex/Si. Převládajícím typem defektů v takovýchto vrstvách jsou misfit dislokace.
Přítomnost defektů v látce vede ke vzniku difuzně rozptýleného záření, které bylo měřeno pomocí difraktometru s vysokým rozlišením.