Zvýšená relaxace a promicháváni v Ge ostrůvcich pěstovaných na Si(001) substrátech s jámami

Abstrakt

Relaxace a promíchávání Ge a Si v nanoostrůvcích na Si(001) substrátu je studováno pomocí rozptylu paprsků X a teoretických metod.

Klíčová slova

• Ge nanoostrůvky