Abstrakt
Byla vyvinuta technologii přípravy vysokodporového CdTe a byl připraven funkční vzorek vysokoodporového materiálu CdTe ve formě plošného výřezu vysokoodporového CdTe a planárního detektoru opatřeného plošnými zlatými kontakty. Pomocí technologie růstu ve vertikálním gradientu (VGF) byly připraveny krystaly vysokoodporového CdTe legovaného Indiem o průměru 50mm.
Na základě výsledků analýz série krystalů CdTe připravených uvedenou technologií v uplynulém období 2012-2014 byla stanovena optimální koncentrace dopantu. Tato koncentrace zajišťuje jak vysoký elektrický odpor v části ingotu, tak co nejlepší účinnost sběru náboje.
Připravené ingoty byly rozřezány, jednotlivé desky byly broušeny a leštěny. Dále byl proměřen elektrický odpor pomocí bezkontaktní metody COREMA.
Jednotlivé desky byly dále rozřezány na menší vzorky, z kterých byly připraveny detektory s planární elektrodou. Takto připravené vzorky byly charakterizovány pomocí měření alfa, gama a rtg spektroskopie.