Abstrakt
Tato disertacn prace se zabyva studiem relaxacnch a rekombinacnch procesu v kremkovych nanokrystalech zabudovanych do dielektrickych (SiO2, SiC a Si3N4) matric, ktere byly pripraveny v ramci evropskeho projektu NASCEnT (Silicon Nanodots for Solar Cell Tandem 2010-2013 ). Rozdlne hostujc materi aly pro kremkove nanokrystaly nejen poskytuj rozdlne transportn vlastnosti, ale take odlisnym zpusobem ovlivnuj povrch kremkovych nanokrystalu.
Rozsahla cast prace je venovana vyzkumu kremkovych nanokrystalu v matrici SiO2, jejichz opticke a elektricke vlastnosti se men v zavislosti na velikosti nanokrystal u, tloust'ce SiO2 bariery mezi nanokrystaly a zpusobu dodatecneho zhan. Pomoc ruznych metod opticke spektroskopie je vytvoren uceleny obraz o dynamice fotoexcitovanych nosicu naboje na casove skale od pikosekund do milisekund.
Pocatecn (pikosekundova) dynamika je popsana pomoc relevantnch kinetick ych rovnic. Navrhujeme teoreticky model k popisu vlivu vzdalenosti mezi nanokrystaly na rychlost pocatecn mnohocasticove rekombinace.
Dale je v praci ukazano, ze P-typove dopovan borem a vodkova pasivace maj zasadn vliv na rekombinaci nosicu naboje v kremkovych nanokrystalech umstenych v SiC matrici. U kremkovych nanokrystalu zabudovanych do Si3N4 matrice je zkouman a diskutovan puvod viditelne fotoluminiscence.