Meziatomární reorganizace náboje na rozhraní Pb-Si: Vazební mechanismus při nízkých pokrytích

Abstrakt

Submonovrstvy olova na Si(111) v uspořádaných strukturách symetrie (root3xroot3)R30° byly studovány pomocí fotoelektronové difrakce a ab initio výpočtů. Při pokrytí 1/3 atomy Pb přeskakují mezi horními a spodními polohami.

Fluktuující geometrie je spojená s přeskupením náboje v základní trojúhelníkové dvojpyramidě tvořené adsorbovaným atomem Pb a čtyřmi nejbližšími atomy Si. Dynamická rovnováha se odráží v přechodech dvojpyramid mezi polovodivým a kovovým charakterem v důsledku interakce mezi nesaturovaným atomem Pb v pozici T4 a saturovaným atomem Si vespod.

Záměna atomu Pb při pokrytí 1/3 za atom Si způsobuje stabilizaci sousedních atomů Pb v horní poloze, která je charakteristická pro atomy Pb v mozaikové fázi při pokrytí 1/6 monovrstvy

Klíčová slova

• Intra-atomic
• charge
• re-organization
• Pb-Si
• interface
• Bonding
• mechanism
• coverage