Reaktivní epitaxní růst ultratenkých vrstev MnSi na Si(111) depozicí Mn

Abstrakt

Růst MnSi na Si(111) je studován pomocí STM, LEED a AES. Presentován je způsob přípravy povrchu spojitě pokrytého MnSi.

Pozorovaný růst je vysvětlen pomocí rovnováhy mezi množstvím Si a Mn atomů.

Klíčová slova

• Reactive
• epitaxial
• growth
• ultrathin
• films
• deposition
• 205312