Publikace na Matematicko-fyzikální fakulta |
2009
Abstrakt
Jedná se o STM a PES studii systému Ta/Si(111)-7x7 po depozici 0,05-2 ML Ta za teplot od 300 do 1250 K. STM ukazuje že za teploty 300 K a pokrytí pod 1 ML vzniká neuspořádaná fáze.
Depozice na horký povrch (nad 500 K) dává vzniknout 3D ostrůvkům náhodně rozmístěným po povrchu. Analýza fotoemisních dat vnitřní hladiny Si 2p ukazuje, že za pokojovéé teploty a pokrytí do 1 ML jsou vazebné energie posunuty, což jasně potvrzuje, že reakce začíná již za 300 K.
Změny dubletu Ta 2p za vyšších teplot lze vysvětlit vytvořením stabilního silicidu na povrchu