Kompenzace a záchyt v širokozónových polovodičích -ladění defektní struktury CdZnTe

Abstrakt

Teoreticky byl studovány změny ionizačních energií s kompozicí a jejich možný vliv na kompenzaci a fotocitlivost širokopásových polovodičů. Experimentálně to bylo ilustrováno na příkladu ingotu semiizolačního Cd1-xZnxTe připraveného Bridgmanovou metodou.

Klíčová slova

• Compensation
• trapping
• large
• bandgap
• semiconductors
• Tuning
• defect
• system
• CdZnTe