Abstrakt
Připravili jsme monokrystal PrCr2Si2C a NdCr2Si2C pomocí Czochralského metody a zkoumali jsme na nich měrné teplo a magnetizaci v teplotním oboru 2-300 K a magnetických polích do 6 T aplikovaných paralelně s krystalografickými osami.
Připravili jsme monokrystal PrCr2Si2C a NdCr2Si2C pomocí Czochralského metody a zkoumali jsme na nich měrné teplo a magnetizaci v teplotním oboru 2-300 K a magnetických polích do 6 T aplikovaných paralelně s krystalografickými osami.