Kompenzace a záchyt v CdTe dopovaném In-příspěvek od donoru v blízkosti středu zakázaného pásu

Abstrakt

V práci je popsána změna nábojového stavu hlubokého donoru, která zvyšuje účinnost sběru náboje v detektorovém CdTe dopovaném Indiem. Měření fotoindukovanou transientní spektroskopií (PICTS) a termoelektrickou spektroskopií ukázala kladně nabitou hladinu s energií EC-0.65 eV.

Klíčová slova

• Compensation
• carrier
• trapping
• indium-doped
• Contributions
• important
• near-mid-gap
• donor