Publikace na Matematicko-fyzikální fakulta |
2009
Abstrakt
Pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu byly kontakovány jednotlivé molekuly vnitřně dopovaného fulerenu Ce2@C80 a jednotlivé referenční molekuly C60. Vysoká stabilita experimentu umožnila porovnat elektrickou vodivost jednotlivých molekul Ce2@C80 a C60.
Vnitřní dopování snižuje elektrickou vodivost Ce2@C80 v porovnání s C60 přibližně pětinásobně. Výpočty z prvních principů ukazují, že důvodem pro pozorovanou sníženou vodivost Ce2@C80 je absence elektronových orbitalů delokalizovaných na uhlíkovém plášti Ce2@C80 v rozsahu energií dostupných při měření vodivosti