Model závislosti kritické teploty supravodivého bórem dopovaného diamantu na koncentraci dopování

Abstrakt

Studujeme koncentrační závislost kritické teploty Tc supravodivého bórem dopovaného diamantu. Pomocí metody dynamical cluster approximation se spočteme hustotu stavů na Fermiho mezi, která je vyšší než při použití CPA.

Diskutuje se závislost kritické teploty na hustotě stavů použitím BCS, McMillanovy a Belitzovy teorie. Zjednodušená Belitzova teorie poskytuje nejlepší souhlas s experimentálními daty.

Jelikož je závislost hustoty stavů na koncentraci dobře popsána jednonuchou mocninnou funkcí, teorie nabízí analytický vzorec pro Tc(x).

Klíčová slova

• Model
• boron-doping
• dependence
• critical
• temperature
• superconducting
• boron-doped
• diamond