Ostrůvky Si se zakončením 1x1 vytvořené desorpcí Tl z povrchu Si(111)

Abstrakt

Ostrůvky Si se symetrií 1x1 byly připraveny na Si(111) desorpcí Tl. Struktura ostrůvků je interpretována jako 'dimer-stacking-fault' model.

Stabilizaci povrchu vysvětlujeme přítomností podpovrchových dimerů.

Klíčová slova

• islands
• termination
• formed
• desorption
• surface