Fotoluminiscence n-dopované dvojité kvantové jámy - elektronové podpásy pod vlivem in-plane magnetického pole

Abstrakt

Práce je venována luminiscenci dvojité kvantové jámy (DQW) v systému GaAs/AlGaAs ve vysokých magnetických polích. Merení byla provedena na selektivne; kontaktované p-dn-DQW-dn-p strukture umožnující priložením naprtí p-n zmenu koncentrace elektronu; v DQW a zároven; pomocí napetí p-p její naklánení.

Pozornost byla venována prdevším efektum indukovaným v in-plane magnetickém poli, které teoreticky studovali Huang a Lyo (HL) [Phys. Rev.

B 59, (1999) 7600]. V této práci srovnáváme naše experimentální výsledky s efekty predpovezenými v citované teoretické práci. Zatímco výsledky na symetrické DQW plneni; potvrdily ocekávání, experiment na DQW s elektrickým polem indukovanou asymetrií nedovolily podrobné overení teoretických predpovedi.

Klíčová slova

• Photoluminescence
• n-doped
• double
• quantum
• wellelectron
• subbands
• under
• influence
• in-plane
• magnetic
• fields