Publikace na Matematicko-fyzikální fakulta |
2010
Abstrakt
Podáváme teoretickou studii elektronické struktury a transportních vlastností jednovrstvého a dvouvrstvého grafenu s vakancemi a dusíkem dopovaného grafenu. Počítáme množství defektů potřebné k přechodu z nevodivého do vodivého stavu, tedy přechod kov-izolátor a zjistíme mezní koncentraci defektů při které rozptyl na nečistotách začiná dominovat nad narůstem vodiči indukované vodivosti.